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三星:3納米GAA制程研發(fā)進(jìn)度領(lǐng)先臺(tái)積電

據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道,三星電子裝置解決方案事業(yè)部門(mén)技術(shù)長(zhǎng)Jeong Eun-seung周三(25日)在一場(chǎng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇中表示,三星能夠搶在主要競(jìng)爭(zhēng)者臺(tái)積電之前,宣布GAA技術(shù)商業(yè)化。

他說(shuō),“我們開(kāi)發(fā)中的GAA技術(shù),領(lǐng)先主要競(jìng)爭(zhēng)者臺(tái)積電。一旦鞏固這項(xiàng)技術(shù),我們的晶圓代工事業(yè)將可更加成長(zhǎng)。”

據(jù)報(bào)道,GAA是3納米制程的關(guān)鍵。GAA技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)在于改變電晶體架構(gòu),將之由鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的3D轉(zhuǎn)為GAA的4D。【責(zé)任編輯/常琳】

來(lái)源:界面新聞

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