憶聯今日發布數據中心級NVMe SSD 使用自研控制器與長江存儲128L 3D NAND
憶聯今日發布了數據中心級 NVMe SSD——UH711a 以及 UH711a E3.S 形態。該系列產品使用自研控制器與長江存儲 128L 3D NAND，專為數據中心級業務場景而設計。其中，UH711a 單盤容量最高達 7.68TB。
憶聯表示，UH711a 支持 PCIE Gen4 接口，針對數據中心級業務場景及負載 Workload IO 模型，在各類場景可提供全面的性能優化能力，產品順序讀寫性能達 7200/4500 MB/s，隨機讀寫性能達 1700/230K IOPS。同時，針對互聯網典型應用場景，UH711a 采用軟化架構設計，并優化 IO 路徑 DB、FSP、HAS 和 LDPC 等硬件資源配置，提升后端 NAND 顆粒并發效率，保障互聯網典型應用場景盤片性能。
據介紹，UH711a 通過使能 SR-IOV 技術優化云業務虛擬機場景。SR-IOV2.0 進一步優化了 Nand 物理層隔離度，VF 間的性能隔離度更好，隨著隔離度的提高在純讀寫及混合場景下分別優化到了 3% 和 5%，目前憶聯 SR-IOV 性能及隔離度已達業界第一。
這款產品采用全新 K-mean 智能聚類算法，提供更精細的數據類型識別顆粒度，進一步提高 GC 時的效率，使 SSD 系統性能最大可提升 20%。通過在盤片內部將 2 種數據寫入不同的流，降低盤片的寫放大系數，提升全生命周期的穩態性能以及保障產品生命周期后期階段的可靠性。此外，UH711a 還支持 DIF、NS 管理等 OCP2.0 規范，不僅與系統配合實現端到端的保護，也能在盤內實現獨立的端到端的保護機制。
此外，憶聯稱依托公司自主封測技術，UH711a 通過使能自封 TLC 介質，在不犧牲性能及可靠性的前提下大幅度降低介質應用成本，挖掘介質的原生潛力，提供更好的 IO 性能。
IT之家了解到，憶聯還推出了 UH711a E3.S 形態，長 112.75mm、寬 76mm、厚度為 7.5mm，單盤容量最高達 15.36TB，支持 NVMe 1.4。使用新形態后，產品順序讀寫性能高達 7200/4400 MB/s，隨機讀寫性能高達 1700/240K IOPS。該系列產品將于 2023 年實現量產。
來源：IT之家
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