至訊創新宣布成功研制19nm 2D NAND閃存芯片 預計明年年初全面投放市場
zhangli 2022年12月13日 14:36
原標題：至訊創新宣布成功研制國內首款全自研中小容量 19nm 2D NAND 閃存芯片
12 月 13 日消息：至訊創新今日宣布，其自主研發的國內首款中小容量 19nm 2D NAND 閃存芯片研制成功，預計將于明年年初全面投放市場。
至訊創新表示，這是國內首款全自研、運用先進工藝的中小容量 19nm 2D NAND 閃存芯片。產品將覆蓋 512Mb、1Gb 和 2Gb 容量，提供 1.8V 和 3.3V 電壓，并采用串行接口 SPI 和 WSON 封裝。
據介紹，其可滿足消費級產品對可靠性的需求，還可達到工規和車規等高可靠性應用場景對擦寫次數和數據保留的要求。至訊創新數據顯示，該產品實現了芯片面積縮小 40%，I / O 速度提升 25%，擦寫周期提升 70%。
IT之家了解到，官方信息顯示，至訊創新成立于 2021 年 10 月，總部位于江蘇無錫，在上海、深圳、香港等地均已設立分支機構。目前，至訊創新正進行 A 輪融資。
來源：IT之家
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