三星或?qū)⒂谙轮苄剂慨a(chǎn)3nm芯片

據(jù)韓聯(lián)社報道，三星預(yù)計將于下周宣布量產(chǎn)3nm芯片。這意味著該公司至少在宣布時間上將領(lǐng)先臺積電，后者預(yù)計將在今年下半年開始生產(chǎn)3nm芯片。

與三星的5nm工藝(用于驍龍 888 和 Exynos 2100)相比，三星的3nm節(jié)點將帶來35%的面積減少、30% 的性能提升或 50% 的功耗降低。

這將通過切換到晶體管的全方位柵極 (GAA) 設(shè)計來實現(xiàn)。這是 FinFET 鰭式場效應(yīng)晶體管之后的下一步，因為它允許代工廠縮小晶體管，而不會損害其承載電流的能力。

新工藝最大的擔(dān)憂是產(chǎn)量。去年10月，三星表示其3nm工藝的良率“正在接近與4nm工藝相似的水平”。雖然該公司從未公布官方數(shù)據(jù)，但分析師認為，三星的4nm節(jié)點受到良率問題的困擾。

美國總統(tǒng)拜登上個月參觀了三星位于平澤的工廠，參加了三星3nm技術(shù)的演示。去年有傳言稱，該公司可能會投資100億美元在美國德克薩斯州建立一家3nm代工廠。該投資已增至170億美元，該工廠預(yù)計將于2024年開始運營。【責(zé)任編輯/周末】

來源：新浪數(shù)碼

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