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Intel透露“4nm EUV”工藝進展：每瓦性能提升20% 進展良好

快科技　2021年11月14日 17:25

10月底發(fā)布的12代酷睿不僅升級了大小核架構，工藝也升級到了Intel 7(之前的10nm SF工藝增強版)，從這一代開始Intel的工藝也會爆發(fā)，4年時間要掌握5代工藝，其中下一個工藝是Intel 4，官方現在透露它的進展很順利，芯片測試已經完美通過。

Intel 4工藝就是沒改名之前的Intel 7nm工藝，它可是Intel接下來非常重要的工藝節(jié)點，會首次引入EUV光刻機，能效比再提升大約20%，明年下半年投產，2023年產品上市。

現在Intel首次透露了這個“4nm EUV”工藝的進展，官方放出了48秒的視頻，顯示該工藝生產的晶圓測試過程，最后的結果就是通過了所有測試，內部的SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規(guī)范，芯片很“健康””。

Intel沒有公布這個晶圓的具體情況，不過結合之前的信息來看，這個測試的晶圓應該是14代酷睿Meteor Lake，已經在今年第二季度完成計算單元的流片，現在測試非常合理。【責任編輯/周末】

來源：快科技

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