首批國產(chǎn)DDR5內(nèi)存量產(chǎn)下線,美光顆粒,4800MHz
今年3月底,國內(nèi)廠商嘉合勁威表示,正在積極備貨DRAM內(nèi)存顆粒,有機會國內(nèi)率先量產(chǎn)DDR5內(nèi)存。4月26日,嘉合勁威旗下品牌阿斯加特宣布,首批DDR5內(nèi)存條量產(chǎn)入倉,已經(jīng)完成備貨,預(yù)計會在英特爾和AMD發(fā)布下一代處理器的時候上市。
早在今年2月份,阿斯加特就推出了首款DDR5內(nèi)存條。3月份,美光的DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒到廠后,嘉合勁威就進入積極備貨狀態(tài),截至今日,首批產(chǎn)品終于量產(chǎn)下線,不過距離上市銷售還需要較長一段時間。
阿加斯特首批DDR5內(nèi)存條采用美光DRAM顆粒制造,提供16GB和32GB兩個容量規(guī)格,頻率均為4800MHz,電壓1.1V,時序為40-40-40。首批產(chǎn)品定位為入門級,規(guī)格性能并不高,主要是為了滿足玩家嘗鮮的需求。
阿拉斯加官方表示,未來還會生產(chǎn)更大容量,更高頻率的DDR5內(nèi)存。從目前曝光的信息中了解到,阿拉斯特目前所研發(fā)的高規(guī)格DDR5內(nèi)存中,最高為128GB 6400MHz,預(yù)計在2022年量產(chǎn)。另外還有128GB/64GB 5600MHz規(guī)格的型號,計劃在下半年進行生產(chǎn)和發(fā)布。
和DDR4內(nèi)存相比,DDR5功耗更低,穩(wěn)定性和安全性更高,而且在容量、頻率等方面能實現(xiàn)數(shù)倍的提升,有助于更徹底地發(fā)揮處理器的性能。嘉合勁威公布的數(shù)據(jù)顯示,DDR5內(nèi)存在讀寫、拷貝速度上顯著高于DDR4內(nèi)存,但延遲較高。不過,該內(nèi)存將支持On-die-ECC糾錯功能,且單條即可實現(xiàn)雙通道,相比DDR4內(nèi)存的升級還是非常大的。
上個月,外媒曝光了三星首款DDR5內(nèi)存,據(jù)說是基于HKMG工藝技術(shù)打造,單條最高容量可達到512GB,頻率可達到7200MHz,相比DDR4內(nèi)存,提升幅度相當(dāng)驚人。目前阿加斯特最高規(guī)格型號與三星相比也有很大差距,看來在高端內(nèi)存方面,國內(nèi)廠商還需要繼續(xù)努力。
不過,DDR5內(nèi)存并沒有那么快普及,最快需要等到英特爾12代酷睿和600系列主板的發(fā)布,才會正式支持DDR5內(nèi)存。所以,大家不需要急著想買DDR5內(nèi)存,現(xiàn)在能買到也用不了。【責(zé)任編輯/江小白】
來源:雷科技
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